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西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产IT之家7 月11 日消息,西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心研究团队在蓝宝石基增强型e-GaN 电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研究团队攻克了≥1200V 超薄GaN(氮化镓)缓冲层外延、p-GaN 栅HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整小发猫。

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