什么是存储单元_什么是存储单元和内存地址
深圳市辰中科技及晶相技术取得用于存储器重复图形单元关键尺寸的量...金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市辰中科技有限公司、深圳市晶相技术有限公司取得一项名为“用于存储器重复图形单元关键尺寸的量测方法和量测设备”的专利,授权公告号CN 118365692 B,申请日期为2024 年6 月。
无锡华润微电子申请“一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法”的专利,公开号CN 118946157 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法,所等会说。
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上海积塔半导体申请三维存储器及其制备方法专利,节省存储单元占用...上海积塔半导体有限公司申请一项名为“三维存储器及其制备方法”的专利,公开号CN 118946160 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明提供了一种三维存储器及其制备方法。本发明通过将上下电极层优化为左右电极层,实现将传统横向存储单元优化为纵向存储单元,单个存等会说。
中芯国际申请存储单元及相关专利,存储单元漏电流减小金融界2024 年11 月15 日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法”的专利,公开号CN 118942511 A,申请日期为2023 年5 月。专利摘要显示,一种存储单元、存储器、存储器结构以及是什么。
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中芯国际申请 SRAM 单元以及存储器专利,提升了 SRAM 单元的性能金融界2024 年11 月15 日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“SRAM 单元以及存储器”的专利,公开号CN 118946136 A,申请日期为2023 年5 月。专利摘要显示,一种SRAM 单元以及存储器,SRAM 单元包括:所述栅极结构露出的有源区等我继续说。
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北极星特许集团申请存储器阵列和形成相关方法专利,存储器单元串...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,北极星特许集团有限责任公司申请一项名为“存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法”的专利,公开号CN 118946151 A,申请日期为2020年8月。专利摘要显示,本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单等会说。
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新存科技申请存储器测试系统和测试方法专利,监控存储单元干扰时间本申请提供了一种存储器的测试系统和测试方法,测试系统包括测试装置和处理器。测试装置通过设置第二电压检测模块来检测第二测试电压,从而来监控第二存储单元受到第一存储单元干扰所用的时间,进而可以得到第一存储单元的操作时间。并通过设置第一电压检测模块来检测第一地后面会介绍。
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通用汽车环球科技申请用于多电池单元可再充电式能量存储设备的方法...金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,通用汽车环球科技运作有限责任公司申请一项名为“用于多电池单元可再充电式能量存储设备的方法和装置”的专利,公开号CN 118928035 A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,一种用于具有多个可再充电式能量存储设备(RE等我继续说。
...及存储介质专利,更加准确的实现了生成复杂外部对象的单元测试代码设备及存储介质,涉及代码处理技术领域,通过根据AOP技术,从实际业务场景获取第一单元测试用例数据;根据预定义的目标对象类型,从第一单元测试用例数据中确定出第二单元测试用例数据;根据目标对象类型、第二单元测试用例数据、以及预设的入参和返回值比对校验模板,生成目标对后面会介绍。
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长鑫存储申请反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器专利,提升存储技术金融界2024年11月6日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器”的专利,公开号CN 118900563 A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器,其中,反熔丝单元包括:基好了吧!
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