什么是存储结构_什么是存储半导体
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长鑫存储取得半导体结构及其形成方法专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,授权公告号CN 115116959 B,申请日期为2021年3月。
长鑫存储取得半导体结构及其制作方法专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利,授权公告号CN 115566023 B,申请日期为2021年7月。
长鑫存储取得一种半导体结构及其制作方法专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利,授权公告号CN 110957263 B,申请日期为2018年9月。
青岛翔浩机械取得自带转移搬运结构的模具存储装置专利,减少模具...金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,青岛翔浩机械有限公司取得一项名为“一种自带转移搬运结构的模具存储装置”的专利,授权公告号CN 222006245 U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型提供一种自带转移搬运结构的模具存储装置,包括:存储组件、转是什么。
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无锡舜铭存储科技取得3D闪存存储器及其控制器结构专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,无锡舜铭存储科技有限公司取得一项名为“3D闪存存储器及其控制器结构”的专利,授权公告号CN 113380807 B,申请日期为2021年6月。
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无锡华润微电子申请“一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法”的专利,公开号CN 118946157 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法,所等会说。
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中芯国际申请 SRAM 单元以及存储器专利,提升了 SRAM 单元的性能金融界2024 年11 月15 日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“SRAM 单元以及存储器”的专利,公开号CN 118946136 A,申请日期为2023 年5 月。专利摘要显示,一种SRAM 单元以及存储器,SRAM 单元包括:所述栅极结构露出的有源区后面会介绍。
上海积塔半导体申请三维存储器及其制造方法专利,能够使得存储结构...形成覆盖于导电部的表面的支撑部;刻蚀支撑部,形成沿第一方向贯穿支撑部且暴露导电部的沟槽;形成连续覆盖支撑部的表面和沟槽的内壁的存储层;沉积金属材料或者多晶硅材料于基底上,形成覆盖存储层的上电极。本发明无需进行用于形成存储孔的深孔刻蚀工艺,且能够使得存储结构的还有呢?
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上海积塔半导体申请三维存储器及其制造方法专利,提高存储结构的...形成位于所述基底上方的阻挡层以及位于所述阻挡层上方的凸起结构;于所述凸起结构的一侧形成至少贯穿所述阻挡层且暴露所述第一接触结构的存储孔;形成连续覆盖所述存储孔的内壁、暴露的所述第一接触结构的表面和所述凸起结构的表面的存储结构,且所述存储结构与所述第一接触还有呢?
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长鑫存储申请半导体结构的制备方法专利,用于提高电容孔的大小均一性金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利,公开号CN 118946137 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构的制备方法,涉及半导体技术领域,用于提高电容孔的大小均一性。该好了吧!
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